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光刻胶

Micro Resist 电子束及深紫外光刻胶

美国 Micro Resist
ma-N 2400系列,mr-EBL 6000

电子束及深紫外光刻胶
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电子束及深紫外光刻胶ma-N 2400 mr-EBL 6000.pdf

 

 

 

 

 

型号

曝光

特点

ma-N 2400系列

电子束和深紫外曝光

  电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-50 nm以下;碱性水溶液下显影;

mr-EBL 6000

电子束曝光

    电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;光胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-80 nm以下;碱性水溶液下显;

 

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