Micro Resist 紫外负性光刻胶

美国 Micro Resist
紫外负性光刻胶 -湿法工艺 ma-N 400，干刻工艺 ma-N1400，lift-off工艺 ma-N 400，ma-N 1400
紫外负性光刻胶

紫外负性光刻胶 - 湿法工艺

型号	曝光	应用	特性
ma-N 400	宽带或i线曝光	0.5 ～ 20 μm胶厚	非常适合作为刻蚀掩模，极好的抗干刻、湿刻性能；优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中极高的稳定性）；光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；

紫外负性光刻胶 - 干刻工艺

型号	曝光	应用		特性	优于正胶的优势
ma-N1400	宽带或 i线曝光	0.5～ 20μm胶厚	非常适合作为刻蚀掩模，极好的抗干刻、湿刻性能；优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中极高的稳定性）；光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；