Micro Resist 纳米压印胶
mr-I 7000E系列，mr-I 8000E系列，mr-I PMMA 35k/75k系列，mr-I T85系列，mr-I 9000E系列，mr-NIL 6000系列，mr-UVCur06
纳米压印胶
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型号 |
特点 |
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mr-I 7000E系列 |
优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度125 - 150℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） |
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mr-I 8000E系列 |
优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度170 - 190℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） |
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mr-I PMMA 35k/75k系列 |
优异的成膜质量 低分子量从而实现高效的流动性 压印温度150 - 180℃，压印压力50 bar 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） |
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mr-I T85系列 |
优异的成膜质量 压印温度140 - 170℃，压印压力大于5 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率，高化学稳定性 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） |
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mr-I 9000E系列 |
优异的成膜质量 |
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mr-NIL 6000系列 |
优质的固体光胶薄膜 接近等温加工处理：压印、紫外曝光固化，压印与脱模在同一温度下进行 非常低的残余胶层厚度低至10 nm 图案转移时高保真度 Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 |
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mr-UVCur06 |
优质的成膜质量和胶厚均一性 室温加工处理 由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间 低剂量紫外曝光快速固化 可获得优于30 nm的分辨率（取决于模版分辨率） Plasma刻蚀高阻抗性能 O2 Plasma刻蚀可无残余去除 宽带或i线曝光 |
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